1.1 常规刻蚀酸抛设备使用HF/HNO3混合溶液，要达到PERC电池的要求的0.3g以上的减重，平整度抛光度才能满足规定的要求，药耗量增加，成本增加2-3倍。
1.2 高浓度的含氮、含氟元素排放给废污水处理造成极大地负担，光伏电池制造公司环保压力日益增大，使用碱刻蚀抛光是未来的一种趋势。
1.3 采用无机碱（KOH/NaOH）在刻蚀工艺中对扩散后硅片背面及边缘进行刻蚀抛光，替代传统酸抛光刻蚀工艺，能取得更好的抛光性能，并降低工艺成本。
1. 硅片漂浮在HF/HNO3/H2SO4组成的刻蚀液上，去除背面及边缘的PSG，同时对背面进行抛光；2. 通过NAOH水溶液去除多孔硅以及中和硅片表面的酸液；3. 经过HF水溶液去除硅片正面的PSG，抛光后背面平整度增加，对长波光的反射增加，促进了投射光的二次吸收，从而提升Isc，同时由于背面比表面积减小，降低了背面复合，且能够提升背面钝化效果。
1. 首先在链式设备中进行背面酸洗，硅片在常温经过背面酸洗设备，酸槽中HF浓度3％～20％，用于去除扩散后硅片背面及边缘PSG。
2.其次在槽式设备中进行碱抛光，背面抛光使用TMAH、抛光液以及水混合所配溶液对硅片背表明上进行抛光，硅片背面及边缘被无机碱抛光，用于将背面以及边缘PN结通过刻蚀抛光去除。
3. 在槽式碱抛光过程中，由于硅片正面存在PSG，将保护硅片正面的PN结不被无机碱腐蚀抛光，在碱抛光后通过HF溶液再去除正面的PSG，完成整个刻蚀过程。
1. 使用无机碱体系做抛光，无高浓度F、N元素，大幅度降低废污水处理成本，更环保；
3. 电性能增益，通过前后道工艺匹配，能大大的提升效率0.1%，且目前实验室已经取得了更高的效率增益，未来仍有提效空间；
4. 整体成本更低，使用碱抛光刻蚀体系，单片成本较酸抛光低0.1元以上，降低了70%，极大的降低至单晶PERC电池的制造成本。
1. 现象：碱抛后的硅片，正面边缘或边角有明显的过抛现象，正面边缘有斑点过抛。
2. 原因分析：背面 去PSG时，背面局部未接触HF，导致没有完全去除背面PSG。
2. 原因分析：硅片进入背面PSG刻蚀时，扩散面放反，导致正面PSG保护层被破坏。
2. 原因分析：扩散面扩散PSG不均匀；抛光槽添加剂浓度不够；抛光槽溶液比例失衡，硅酸盐浓度过高；抛光槽溶液寿命到期。
3. 解决方案：调整扩散工艺，加厚表面PSG；补加添加剂；排查精排排液情况是不是正常，补液是不是正常；延长精排时间，同时提高添加剂补加比例。
4.7 碱抛光技术因涉及到链式设备与槽式设备，如出现部分不正常的情况，调整规则、方法和目前的常规单晶PERC制绒工序与刻蚀工序方法相似。
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